IRLML6302GTRPBF
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IRLML6302GTRPBF |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Bleifrei / RoHS-konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $0.38 |
10+ | $0.31 |
100+ | $0.2111 |
500+ | $0.1583 |
1000+ | $0.1188 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Spannung - Prüfung | 97pF @ 15V |
Spannung - Durchschlag | Micro3™/SOT-23 |
VGS (th) (Max) @ Id | 600 mOhm @ 610mA, 4.5V |
Vgs (Max) | 2.7V, 4.5V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Serie | HEXFET® |
RoHS Status | Cut Tape (CT) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 780mA (Ta) |
Polarisation | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Andere Namen | IRLML6302GTRPBFCT |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL) | 1 (Unlimited) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Hersteller Standard Vorlaufzeit | 10 Weeks |
Hersteller-Teilenummer | IRLML6302GTRPBF |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 3.6nC @ 4.5V |
IGBT-Typ | ±12V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1.5V @ 250µA |
FET-Merkmal | P-Channel |
Expanded Beschreibung | P-Channel 20V 780mA (Ta) 540mW (Ta) Surface Mount Micro3™/SOT-23 |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | - |
Beschreibung | MOSFET P-CH 20V 0.78A SOT-23-3 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 20V |
Kapazitätsverhältnis | 540mW (Ta) |
IRLML6302GTRPBF Einzelheiten PDF [English] | IRLML6302GTRPBF PDF - EN.pdf |
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